| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Объем памяти | 500 ГБ |
| Тип ячеек памяти | V-NAND MLC |
| Интерфейс | PCIe 3.0 x4 |
| NVMe | Поддержка протокола NVMe |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Скорость чтения | 3400 |
| Скорость записи | 2300 |
| Ресурс записи (TBW) | 300 |
| Время наработки на отказ | 1.5 млн часов |
| Ударостойкость | 1500 |
| Потребляемая мощность | 5.7 Вт |
| Рабочая температура | От 0 до 70 |
| Температура хранения | От −40 до +85 |
| Дополнительно |
Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM Поддержка технологии GC (Garbage Collection) AES 256-битное шифрование (класс 0) TCG/Opal IEEE1667 Случайное чтение (4 КБ, QD32): до 370 000 IOPS Случайное чтение (4 КБ, QD1): до 15 000 IOPS Случайная запись (4 КБ, QD32): до 450 000 IOPS Случайная запись (4 КБ, QD1): до 50 000 IOPS |
| Габариты | 80.15 x 22.15 x 2.38 |
| Вес | 8 |
| Комплектация | SSD-диск |
Comments (0)
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии